互访对接

　　3月28日，应中科院纳米器件与应用重点实验室孙钱研究员邀请，德国阿洛斯半导体公司首席技术官Dr. Atsushi Nishikawa来苏州纳米所访问交流，并作题为“High crystal quality GaN-on-Si to achieve excellent isolation and dynamic performance without carbon doping”的学术报告，相关领域老师与学生参加了此次学术报告会。 

　　硅衬底GaN基HEMT是一种非常重要的功率电子器件。但是，GaN和Si之间存在很大的晶格失配和热失配，因此，在硅衬底上生长高质量GaN是一项极具挑战的工作。低质量的GaN存在高密度的缺陷，这些缺陷可能成为漏电通道，难以实现高阻态GaN的制备。为了解决这个问题，一般在GaN外延生长过程中，在外延结构的某些部位引入碳掺杂。但是引入碳掺杂之后不可避免的会带来一些负面的影响，例如：动态电阻增加和GaN晶体质量的进一步退化。阿洛斯公司利用硅上GaN的侧向外延技术和插层技术，制备了没有碳掺的高阻态GaN和实现了精确的应力控制，基于此技术，在硅衬底上成功实现了7 μm厚的高质量GaN的外延生长。利用硅上外延生长的高质量GaN制备了HEMT，在600V时的垂直和横向漏电低至0.003 μA/mm²和0.007 μA/mm；在1200V的电压下，没有发生物理性的损坏，临界电场高达1.7 MV/cm，远高于报道的1MV/cm，具有很好的开关性能（600V的反向偏压下，动态电阻比值低于1.25）。对硅上的GaN功率器件的应用具有重要意义。 

　　Dr. Atsushi Nishikawa是德国阿洛斯半导体公司的首席技术官，致力于III族氮化物的MOCVD生长方面已经超过十五年，具有丰富的经验。创立阿洛斯公司之前，他曾担任硅上外延GaN的先驱AZZURRO半导体公司外延研发主管和在NTT Basaic Research Labs和大阪大学从事与GaN相关的研究工作。加入阿洛斯公司之后，他继续发展硅上外延GaN的技术并向客户提供相关技术。